收藏本站
NTZD3155C
N ? CHANNEL TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1.2
1.8
1.0
0.8
0.6
5.5 V
1.8 V
V GS = 1.6 V
V GS = 2.0 V to 2.2 V
V GS = 1.4 V
T J = 25 ° C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V DS w 10 V
T J = ? 55 ° C
T J = 100 ° C
0.4
0.6
0.2
0
0
1
2
3
4
V GS = 1.2 V
V GS = 1.0 V
5 6
7
8
9
10
0.4
0.2
0
0.5
1.0
T J = 25 ° C
1.5 2.0
2.5
3.0
1.0
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.9
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.9
0.8
I D = 0.54 A
T J = 25 ° C
0.8
0.7
T J = 25 ° C
V GS = 1.8 V
0.7
0.6
0.6
0.5
0.4
0.3
0.5
0.4
0.3
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
1
2 3 4 5
6
0.2
0.4
0.6 0.8
1
1.2
2
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
1000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.8
I D = 0.54 A
V GS = 4.5 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.6
1.4
100
1.2
1
0.8
0.6
10
T J = 100 ° C
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTZD3156CT5G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
NTZD5110NT5G MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563
NTZS3151PT5G MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563
NV06P00472J-- THERMISTOR NTC DISK 4.7KOHM 5%
NVB25P06T4G MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
NVB6410ANT4G MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK
NVD4815NT4G MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4
NVD5117PLT4G MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
相关代理商/技术参数
NTZD3155CT5G 功能描述:MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTZD3156C 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET
NTZD3156CT1G 功能描述:MOSFET 20/6V Comp w/100K G-S Resistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTZD3156CT2G 功能描述:MOSFET COMP SOT563 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTZD3156CT5G 功能描述:MOSFET COMP SOT563 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTZD3158PT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET SOT563 20V 430MA TR - Tape and Reel
NTZD5110N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:60 V, 310 mA, Dual N−Channel with ESD Protection, SOT−563
NTZD5110NT1 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:60 V, 310 mA, Dual N−Channel with ESD Protection, SOT−563